型号 | SI5424DC-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 |
SI5424DC-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI5424DC-T1-E3 |
产品目录绘图 | DC-T1-E3 Series 1206-8 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 4.8A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 950pF @ 15V |
功率 - 最大 | 6.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | SI5424DC-T1-E3CT |